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MIT突破光刻技术极限 25nm工艺曙光降临

来源:MIT 发布时间:2008-07-09 收藏 投稿 字体:【

来自麻省理工学院(MIT)的研究人员们近日找到了通向25nm半导体工艺的路子,而且使用的仍是现在最常用的193nm深紫外(DUV)光刻技术。这也就是说,半导体厂商可以不必急于上马更昂贵、更复杂的13.5nm远紫外(EUV)光刻技术了。

DUV光刻技术从1995年开始使用,早在上世纪九十年代末就有人认为它将在2003年走到尽头,从100nm工艺开始就需要使用EUV光刻技术, 而在技术人员们的努力下,现在的45nm工艺依然在使用DUV。Intel、IBM、AMD等也都在积极试验EUV技术,并已取得突破性进展,预计会在2013年转入16nm工艺的时候投入实用。

在IBM和Intel加足马力研究22nm工艺的时候,MIT的成就简单得有些难以置信。MIT的报告称,研究人员们已经成功使用干涉光刻技术(又称全息光刻)制造了25nm管道,同时光刻印刷过程不再是问题,最大的麻烦来自于原材料。在使用现有材料的情况下,管道侧壁的粗糙度已经无法很好地控制,也是进一步缩小工艺的最大障碍。

尽管如此,研究人员们依然对前景充满信心,认为“光刻技术仍有很大的发展空间,同时没有任何障碍是无法跨越的”。

最后再说说这其中用到的干涉光刻技术。这种技术的缺点是只能制造规则排列的图案,想用它生产任意形状图案的复杂 芯片是不可能的;好处则是生产规则图案的速度非常快,事实上也有很多芯片使用的就是规则图案。MIT认为,他们的技术“将为下一代计算机存储器、集成电路 芯片,以及高级太阳能电池等设备铺平道路”。看来MIT也清楚,这种新技术的应用范围很有限,想用来投产复杂的微处理器是不太可能的。

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